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一滴水多少ml 一滴水多少克 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好(hǎo),来看一则突发消(xiāo)息。

  美光公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

  据网信办消(xiāo)息,日前,网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)。

  审查发现,美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患,对我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全(quán)风险,影响我国国家安(ān)全。为此,网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规,我国(guó)内关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

  此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查,目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)安(ān)全,是维护国家安全(quán)的必(bì)要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要求,欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发(fā)文称,为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)安全,防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险,维护国家安全,依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》,网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在(zài)华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

  半导体突发!中(zhōng)国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至(zhì)2022年约(yuē)11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪(一滴水多少ml 一滴水多少克shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商。

  美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降,至少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商一滴水多少ml 一滴水多少克,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示,江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē),确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势,公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

  有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析,如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受到(一滴水多少ml 一滴水多少克dào)限制,或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士,国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞(jìng)对产品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽,催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露,薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75%。自长江存储被加入美国限制名(míng)单,设备国产化进程加(jiā)速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉(chén)积)等相关公司份额提升,以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等(děng)收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

 

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