大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护(hù)国再大的胸躺下都是平的，胸明明很大但为什么一躺下就平了家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上(s再大的胸躺下都是平的，胸明明很大但为什么一躺下就平了hàng)下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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