大家好，2023年高考时间是几月几号，四川每年高考时间是几月几号来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进行网络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护(hù)国(guó)家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng2023年高考时间是几月几号，四川每年高考时间是几月几号)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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