大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。20350开头的身份证是哪里的22年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保(bǎo350开头的身份证是哪里的)存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会(huì)更深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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