大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析(四舍六入五留双原则是什么，四舍五入留双法四舍六入五留双原则是什么，四舍五入留双法span>xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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