大家(jiā)好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依(yī)法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5妩媚的意思怎么解释，妩媚的意思是什么解释.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而妩媚的意思怎么解释，妩媚的意思是什么解释采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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