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　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品民航三个敬畏是指什么 民航三个敬畏是什么时候提出的实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部民航三个敬畏是指什么 民航三个敬畏是什么时候提出的数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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