大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安(ān)全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国坚定申请结尾的恳请语怎么写，特此申请的特是什么意思推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和申请结尾的恳请语怎么写，特此申请的特是什么意思薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng申请结尾的恳请语怎么写，特此申请的特是什么意思)会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单(dān)，设(shè)备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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