大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应诞辰是指活人还是死人，诞辰和生日的区别链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　诞辰是指活人还是死人，诞辰和生日的区别　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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