大(dà)家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bà泽连斯基身高是多少 泽连斯基有政治头脑吗n)公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）泽连斯基身高是多少 泽连斯基有政治头脑吗市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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