大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络《人民的名义》陈海是被谁暗算了 人民的名义是真实改编的吗安(ān)全问(wèn)题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场。《人民的名义》陈海是被谁暗算了 人民的名义是真实改编的吗p>

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照《网络(luò)安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需《人民的名义》陈海是被谁暗算了 人民的名义是真实改编的吗要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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