大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息兰州女人为什么戴头巾基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约(yu兰州女人为什么戴头巾ē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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