大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美光等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下(xià)游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国俩人与两人的区别用哪个合适，小俩口还是小两口内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(s俩人与两人的区别用哪个合适，小俩口还是小两口hèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(j俩人与两人的区别用哪个合适，小俩口还是小两口ì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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