大家好(hǎo)，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。珂拉琪涂多了真的会得唇炎吗，唇炎会自愈吗>

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京电子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额(é)提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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