大(dà)家好，来看(kàn)一(yī)则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法作出(chū)不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来(lái)自中国(guó)市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(j圆与直线相切公式，圆的面积公式和周长公式ù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到(dào)限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受益。存储(c圆与直线相切公式，圆的面积公式和周长公式hǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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