大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，没有罩子的瑜伽老师，瑜伽老师没带胸罩国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（没有罩子的瑜伽老师，瑜伽老师没带胸罩CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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