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女生拉黑就是极度讨厌吗,拉黑多久不联系就是彻底结束 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来(lái)看一则突发(fā)消(xiāo)息。

  美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

  据网信办消息(xī),日前,网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

  审(shěn)查发现,美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患,对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风险,影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此,网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规,我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品进行网络安(ān)全审查,目的是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安(ān)全,是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放,只要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求,欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市(shì)场。

  半导体突发!中国(guó)出手:停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)!

  3月31日(rì),中国网信网发文(wén)称,为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全,防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险,维护(hù)国家(jiā)安全,依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》,网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室(shì)按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

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  美光(guāng)是美女生拉黑就是极度讨厌吗,拉黑多久不联系就是彻底结束(měi)国的(de)存(cún)储芯片行业龙头(tóu),也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57%降至(zhì)2022年约(yuē)11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

 女生拉黑就是极度讨厌吗,拉黑多久不联系就是彻底结束 A股上(shàng)市(shì)公司中,江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

  美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降,至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分(fēn)别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē),确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性,巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势,公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券商此前就分析(xī),如果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限(xiàn)制,或将导致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士,国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

  分析称(chēng),长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤,同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60:1的(de)深孔(kǒng),未(wèi)来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo),催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露,薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程加速,看好(hǎo)拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入增长。

 

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