大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查抖音我从来没想过我这放荡的灵魂是什么歌，抖音有一首歌什么荡悠悠strong>

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IH抖音我从来没想过我这放荡的灵魂是什么歌，抖音有一首歌什么荡悠悠S Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。